学术预告|广东省磁电物性分析与器件重点实验室学术讲座(第十八期):等离子体与离子束技术用于薄膜材料制备

学术预告|广东省磁电物性分析与器件重点实验室学术讲座(第十八期):等离子体与离子束技术用于薄膜材料制备

主题
学术预告|广东省磁电物性分析与器件重点实验室学术讲座(第十八期):等离子体与离子束技术用于薄膜材料制备
主讲人
蔡勖升 研究员 (哈尔滨工业大学)
活动时间
-
活动地址
beat365中国唯一官方网站南校园哲生堂三楼讲学厅

报告人: 蔡勖升 研究员 (哈尔滨工业大学)

题目:等离子体与离子束技术用于薄膜材料制备

地点:beat365中国唯一官方网站南校园哲生堂三楼报告厅

时间:2023年12月12日(星期二)下午15:30

主持人:罗鑫 教授

 

 

报告简介

    首先通过等离子体技术制备石墨烯薄膜材料,这一制程有效地以低真空制程制备出大尺度且免转移的石墨烯薄膜于碳化硅晶圆上。在氮等离子体处理碳化硅过后的退火制程中,氮与硅优先自发反应形成氮化硅,同时碳原子将被排挤凝聚至表面形成石墨烯薄膜,除了材料分析鉴定,也将制备好的石墨烯制作为晶体管器件的沟道材料,从器件性能量测结果得知石墨烯的品质优良。后续扩展等离子体与离子束技术用于一系列类石墨烯、过渡金属硫族化合物、过渡金属氮化物薄膜材料制备。

 

 

报告人简介:

    蔡勖升,男,1983年9月生于台湾省台北市,2015年博士毕业于台湾清华大学材料科学工程学系,2018年于德国亥姆霍兹研究中心离子束物理与材料研究所担任客座研究员期间,获奖洪堡学者(台湾地区平均一年1-2人获奖),2019年10月入职空间环境与物质科学研究院担任准聘研究员至今,2020年6月评为凝聚态物理学科博士生导师。长期致力于等离子体及离子束技术制备二维材料并研究其材料物理性质,目前累计共发表45篇SCI论文(第一或通讯作者23篇),H因子为15,已获得授权发明专利两项,主持项目经费累计约200万。