学术预告|广东省磁电物性分析与器件重点实验室学术讲座(第十九期)

报告人: 杨吉辉 青年研究员 (复旦大学)

题目：Theoretical Studies of Semiconductors Under Working Conditions

地点：beat365中国唯一官方网站南校园冼为坚堂一楼111室

时间：2023年12月18日（星期一）上午09:30

主持人：侯玉升 副教授

报告简介：

    随着半导体理论和计算方法的发展，对于简单体块半导体的平衡或接近平衡性质，已经建立了成熟的计算研究方法和相对完整的物理图景。然而，对于在工作条件下的半导体仍然缺乏准确的计算方法和理论。我将首先介绍我们最近发展的稳恒光照下的缺陷计算理论，该理论可以成功解释光照条件下缺陷相关的实验现象，并且可以为缺陷的非平衡调控提供理论依据；其次我将介绍电场下特别是强电场下的电输运理论研究，我们发展了电介质本征击穿电场强度的计算方法和相关理论，指出能隙越大、击穿电场强度越大的传统认识并不准确，而态密度最大值才是更为关键的物理量。

报告人简介：

    杨吉辉，复旦大学物理学系青年研究员。分别于2008和2013年在复旦大学取得本科和博士学位。毕业之后先后在美国国家可再生能源实验室和莱斯大学从事博士后研究工作，2018年10月加入复旦大学。主要研究方向为计算半导体物理用基于第一性原理计算的方法来研究半导体材料中与电子产生、复合、输运、分离等相关的物理性质和物理过程，同时发展相应的计算方法和半导体理论，设计和发现新型功能半导体。在Nature Materials、PRL、Nano Letters、JACS等杂志上发表论文80余篇，Google Scholar被引7000多次，H因子36。目前的研究兴趣为非平衡载流子行为、半导体缺陷非平衡调控、电声耦合相关的物理性质和过程等。