学术预告 | 中子科学与技术中心学术报告第43期：低微结构的载流子输运研究

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  广东省磁电物性分析与器件重点实验室

本次报告研究了量子阱和量子点的光生载流子的输运性质发现在pn结的作用下没有载流子量子限制效应，而没有pn结的情况下存在载流子量子限制效应，理论计算认为没有pn结的情况下，量子限制效应来源于电荷阻塞效应，理论模型认为量子限制效应来源于低微结构的分离能级，当我们考虑到在量子阱区的几十到几百个原子层形成的能带时，量子阱的能带变为子能带而不是分离能级，同时我们研究了pn结作用下的超薄层材料的吸收，发现吸收系数增强的效应。同时理论解释了该现象。

陈弘，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。1984年 西安交通大学电子工程系半导体器件专业毕业，获得学士学位，1992年中国科学院物理研究所获得博士学位，1992年至今从事分子束外延和MOCVD半导体材料生长及结构与物性研究。1996年～1997年 香港科技大学访问工作，从事电镜研究。在国外主要刊物上发表论文70多篇，申请专利20多项。现为物理所新型化合物半导体材料和物性研究课题组长。