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学术报告(9月18日)

报告人: 
刘国友 教授
题目: 
大功率IGBT技术 — 创新与实践
地点: 
十友堂300
时间: 
9月18日上午10:00-12:00

主持人:刘扬 教授

欢迎广大师生踊跃参加!

报告人简介:
刘国友,教授级高级工程师,中国中车首席技术专家,现任株洲南车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理,兼IGBT制造中心总经理、功率半导体研发中心主任,长期从事功率半导体技术研究、产品开发、技术管理与产业化工作。先后负责特高压直流输电晶闸管研发、大功率高压IGBT芯片和模块技术研究与产品开发、8英寸IGBT技术研发与产业化建设等国家、省部级重大项目;主持国内首条6英寸晶闸管生产线、第一个功率半导体海外研发中心、国内首条8英寸IGBT芯片生产线及其模块封装测试线等的建设。荣获10项省部级以上奖励,拥有授权专利24项,在国内外核心期刊发表论文30余篇,为功率半导体技术体系建设、技术进步与产业化做出了杰出贡献。