学术报告（10月11日）

主持人：沈辉 教授

欢迎广大师生踊跃参加！

报告内容简介：

鉴于非晶硅、微晶硅和纳米晶硅薄膜在太阳电池和信息显示等方面的重要应用，对其基础物理问题以及功能化应用的研究从未止步。作为我国最早从事这方面研究并具有很高学术造诣的孔光临研究员将给我们送上四场精彩的讲座。第一场讲座涉及的内容包括：非晶硅研究史话，非晶硅的结构和能带模型，非晶硅中氢的作用，非晶硅的输运性质（直流电导、漂移迁移率），非晶硅的光电性质（光吸收、光电导），非晶硅的光致退化效应（SWE: Staebler-Wronski Effect），人们提出的各种解释SWE现象的物理模型（电荷转移、弱Si-Si键断裂 、氢碰撞模型）等。

报告人简介：

孔光临研究员，博士生导师。1956年毕业于北京大学物理系，1963年在原苏联科学院半导体研究所获得技术科学博士学位。此后一直在中国科学院半导体研究所从事半导体温差电材料和非晶硅薄膜物理的研究工作直至退休。曾任14届至16届国际非晶态半导体会议顾问委员会委员（Member of International Advisory  Committee boards of  14-16th  International  Conferences on Amorphous Semiconductors）和中国物理学会非晶态委员会委员。在Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev.B，J. Non-cryst. Solids, Sol. Energ. Mat. Sol. C.和Solid State Commun等杂志上发表论文数十篇，其中代表性学术成果是发表在Phys. Rev. Lett.上的两篇有关非晶硅薄膜光致变化研究的论文（Kong Guanglin, Zhang Dianlin, Yue Guozhen, et al. Photo-dilatation effect of undoped a-Si:H films. Phys. Rev. Lett. 79, p. 4,210 (1997)以及Zhao Yiping, Zhang Dianlin, Kong Guanglin,et al. Evidence for Light-induced Increase of Si-H bonds in Undoped a-Si:H. Phys. Rev. Lett  74, 558 (1995)）。孔光临研究员分别于1993年和2001年两次获得中国科学院自然科学二等奖。