学术报告（6月27日 周三 10:30-12:00）

主持人：陈伟 教授  

欢迎广大师生前来参与！

【摘要】

III V族半导体和Ge有望取代Si作为未来晶体管的沟道材料，而其与高k栅介质的界面质量是器件性能的关键。本工作专注于利用同步辐射XPS对半导体与高k氧化物堆栈表征，研究其界面化学和电子结构。生长栅介质的原子层沉积设备本身的研发和特殊引用也将涉及。

【个人简介】

董红，南开大学电光学院电子系，副教授, 2007年本科毕业于兰州大学beat365中国唯一官方网站，2009年毕业于Texas A&M University-Commerce分校，2013年博士毕业于德克萨斯州大学达拉斯分校，材料系，师从高k栅介质先驱之一的Robert M. Wallace，博士后工作一年后，2014年到南开大学电光学院电子系任教。主持国家自然科学基金青年基金一项和天津市自然科学基金一项。发表与合作发表SCI论文40多篇并在多个国际会议做报告。目前研究兴趣在于III-V族半导体，Ge等半导体与栅介质界面表征和界面工程；应用于微米尺寸锂电池和类神经器件的材料开发和器件制备；先进真空装备开发及特种应用。